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词条创建者:高兴
创建时间:08-28 00:47
标签: DLP技术特点及发展历程 DLP 10年发展大事记
摘要:DLP技术特点及发展历程 DLP是由德州仪器公司（Texas Instruments）基于其研发的数字微镜装置（Digital Micromirror Device，DMD），所创 [阅读全文:]
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词条创建者:方兴东
创建时间:08-29 00:17
标签: MOS
摘要:以金属-氧化物-半导体（MOS）场效应晶体管为主要元件构成的集成电路 。简称MOSIC 。1964年研究出绝缘栅场效应晶体管。直到1968年解决了MOS器件的稳定性，MOSIC得到迅速发展。与双极型集成 [阅读全文:]
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词条创建者:方兴东
创建时间:08-27 23:14
标签: IC技术发展简史
摘要:IC技术发展简史IC技术发展简史1940s - 起步阶段 - 原创性的发明使得集成电路技术成为可能1940 - PN结（junction）虽然早在1833年法拉第就已经发现化合物半导体的特性，1873年 [阅读全文:]
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词条创建者:方兴东
创建时间:04-30 17:33
标签: 瑞萨 NEC电子 半导体
摘要:NEC电子和瑞萨合并成立世界第三大半导体公司NEC电子公司，瑞萨科技公司（Renesas），NEC公司，日立有限公司和三菱电机公司于2009年4月27日宣布，同意进行协商合并NEC电子和瑞萨的运营业务。 [阅读全文:]
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