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电子技术
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"电子技术" 分类下的词条 创建该分类下的词条
单片集成电路
词条创建者:admin 创建时间:03-11 02:01
标签: 单片集成电路
摘要:单片集成电路 正文  见集成电路工艺。 配图 相关连接
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单晶
词条创建者:admin 创建时间:03-11 02:01
标签: 单晶
摘要:晶体 中具有短程有序和长程有序,具有规则的外形   详细  单晶冰糖是60年代从日本引进我国的一个新的食品品种,其优点是甜味甘纯、质地洁白,无添加剂,是当今世界公认的无污染食品。 冰糖的生产方法有两种,第一种生产方法是挂线结晶养大法,即将热的精炼饱和糖溶液缓缓倒入挂有细棉线的桶中,在结晶室中经过7天以上缓慢冷却结晶,蔗糖结晶围绕棉线形成并养大成大粒、大块冰糖。第二种生产方法是投放晶种养大法,即在一摇床式结晶槽中,放入热的精炼饱和糖液,投入定量的晶种在摆动槽中边摆动边缓慢降温(
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单脉冲雷达
词条创建者:admin 创建时间:03-11 02:01
标签: 单脉冲雷达
摘要:名称单脉冲雷达   (monopulseradar) 简介  单脉冲雷达是一种精密跟踪雷达。它每发射一个脉冲,天线能同时形成若干个波束,将各波束回波信号的振幅和相位进行比较,当目标位于天线轴线上时,各波束回波信号的振幅和相位相等,信号差为零;当目标不在天线轴线上时,各波束回波信号的振幅和相位不等,产生信号差,驱动天线转向目标直至天线轴线对准目标,这样便可测出目标的高低角和方位角,从各波束接收的信号之和,可测出目标的距离,从而实现对目标的测量和跟踪。单脉冲雷达通常有振
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单片计算机
词条创建者:admin 创建时间:03-11 02:01
标签: 单片计算机
摘要:  简介 单片计算机 【single-chip computer】 将计算机的主要部件制作在一个集成芯片上的微型计算机。单片计算机又称为单片机或微控制器,   发展过程 从20世纪70年代开始,出现了4位单片计算机和8位单片计算机,20世纪80年代出现16位单片机,性能得到很大的提升,20世纪90年代又出现了32位单片机和使用FLASH存储的微控制器。由于单片机的集成度高,所以单片计算机具有体积小、功耗低、控制功能强、扩展灵活、微型化和使用方便等优点,被广泛应用于智能仪器仪表
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单边带调制
词条创建者:admin 创建时间:03-11 02:01
标签: 单边带调制
摘要:单边带调制 正文  将消息的频谱从基带移到一个较高的频率上,而且在平移后的信号频谱内原有频率分量的相对关系保持不变的调制技术(图1a)。单边带 (SSB)调制也可看作是调幅(AM)的一种特殊形式。从图1b中可以看出,调幅信号频谱由载频fc和上、下边带组成,被传输的消息包含在两个边带中,而且每一边带包含有完整的被传输的消息。因此,只要发送单边带信号,就能不失真地传输消息。显然,把调幅信号频谱中的载频和其中一个边带抑制掉后,余下的就是单边带信号的频谱。   从1933年开始,在短波通信中,
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单工
词条创建者:admin 创建时间:03-11 02:01
标签: 单工
摘要:单工释义一段网络电缆或者通信信道只能在一个方向上发送信息。相关词条双工参考资料
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戴维宁定理
词条创建者:admin 创建时间:03-11 02:01
标签: 戴维宁定理
摘要:戴维宁定理含独立电源的线性电阻单口网络,可以等效为一个电压源和电阻串联单口网络,或一个电流源和电阻并联单口网络。本章介绍的戴维宁定理和诺顿定理提供了求含源单口网络两种等效电路的一般方法,对简化电路的分析和计算十分有用。这两个定理是本章学习的重点。戴维宁定理:含独立电源的线性电阻单口网络N,就端口特性而言,可以等效为一个电压源和电阻串联的单口网络[图(a)]。电压源的电压等于单口网络在负载开路时的电压uOC;电阻Ro是单口网络内全部独立电源为零值时所得单口网络No的等效电阻[图(b)]。 
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丹倍效应
词条创建者:admin 创建时间:03-11 02:01
标签: 丹倍效应
摘要:  定义 所谓丹倍效应是一种光生伏特效应。是1919年被测出,并于1931年由丹倍研究阐明的。它是指由于光生非平衡载流子扩散速度的差异而引导起的光照方向产生电场和电位差的现象。根据电位差的测定结果,可以确定光照点的位置,故可利用侧向丹倍效应制成二维定位器件。   单倍电势差 n型半导体为Vx=(kT/e)((μ(n)-μ(p))/(n(0)μ(n)))((△p0)-(△pd))  (D/μ=kT/e为爱因斯坦关系)。
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单位冲激函数
词条创建者:admin 创建时间:03-11 02:01
标签: 单位冲激函数
摘要:概念 单位冲激函数又称为狄拉克函数。   性质 它具有选择性
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导带
词条创建者:admin 创建时间:03-11 02:01
标签: 导带
摘要:导带 正文  见固体的能带。 配图 相关连接
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带通滤波器
词条创建者:admin 创建时间:03-11 02:01
标签: 带通滤波器
摘要:这个图表中的频率轴是对数坐标 带通滤波器例子 带通滤波器是指能通过某一频率范围内的频率分量、但将其他范围的频率分量衰减到极低水平的滤波器,与带阻滤波器的概念相对。一个模拟带通滤波器的例子是电阻-电感-电容电路(RLC circuit)。这些滤波器也可以用低通滤波器同高通滤波器组合来产生.一个理想的滤波器应该有一个完全平坦的通带,例如在通带内没有增益或者衰减,并且在通带之外所有频率都被完全衰减掉,另外,通带外的转换在极小的频率范围完成。实际上,并不存在理想的带通滤波器。滤波器并不能够将期望频率范围
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磁滞损耗
词条创建者:admin 创建时间:03-11 02:00
标签: 磁滞损耗
摘要:磁滞损耗 正文  铁磁材料在磁化过程中由磁滞现象引起的能量损耗。为使铁心磁化,必须供给能量。当铁心材料磁化时,它的磁通密度B 与磁场强度之间呈现磁滞回线关系。经一个循环,铁心每单位体积所得到的能量为 式中积分是环绕磁滞回线进行的。上式表明,每单位体积的铁心经一循环,铁心中的磁滞损耗等于磁滞回线的面积,这一能量转化为热能。如果B 的单位为特(斯拉),H的单位为安/米,则能量以焦(耳)/米3表示。   C.P.施泰因梅茨曾找到表示磁滞损耗的经验公式,按照此式,每单位体积每周的磁滞损耗W 与
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次品
词条创建者:admin 创建时间:03-11 02:00
标签: 次品
摘要:  解释 次品 :和正品比起来质量或优劣程度差一大截的就称为次品!   危害 次品的存在影响人们的生活质量
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磁阻
词条创建者:admin 创建时间:03-11 02:00
标签: 磁阻
摘要:磁阻(magnetic resistance) 磁路中的一个与电路中的电阻相对应的物理量,用Rm表示。一段粗细均匀长为li的磁路的磁阻Rmi为  式中的Si是这段磁路的横截面积,μ是构成这段磁路的磁介质的绝对磁导率。n个磁阻串联时的总磁阻等于各个磁阻阻值的和;n个磁阻并联时,总磁阻的倒数等于各磁阻倒数的和。
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存储转发
词条创建者:admin 创建时间:03-11 02:00
标签: 存储转发
摘要:主题  存储转发 内容在转发数据前先对数据进行接收存储以进行校验,即接收整个数据帧并通过帧校验和进行校验  
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磁滞回线
词条创建者:admin 创建时间:03-11 02:00
标签: 磁滞回线
摘要:磁滞回线(magnetic hysteresis loop) 当铁磁质达到磁饱和状态后,如果减小磁化场H,介质的磁化强度M(或磁感应强度B)并不沿着起始磁化曲线减小,M(或B)的变化滞后于H的变化。这种现象叫磁滞。当磁化场H在正负两个方向上往复变化时,M(或B)随H的变化规律如图所示,图中的闭合曲线即磁滞回线。磁滞回线表明:⑴H=0时,M(或B)不为零,MR叫剩余磁化强度,BR叫剩余磁感应强度;⑵要使介质完全退磁(M=0、B=0),必须加反方向磁场HC,HC叫矫顽力;⑶M(或B)与H的关系是非线
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带宽
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标签: 带宽
摘要:带宽在各类电子设备和元器件中,都可以接触到带宽的概念,例如熟知的显示器的带宽、内存的带宽、总线的带宽和网络的带宽等等;对这些设备而言,带宽是一个非常重要的指标。不过容易让人迷惑的是,在显示器中它的单位是MHz,这是一个频率的概念;而在总线和内存中的单位则是GB/s,相当于数据传输率的概念;而在通讯领域,带宽的描述单位又变成了MHz、GHz..这两种不同单位的带宽表达的不是同一个内涵。通常表示一个网络或者数据传输媒体携带的数据的容量。它表示在单位时间内从一点到另一点能够传递的最大数据量。带宽的两种
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磁致伸缩
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标签: 磁致伸缩
摘要:磁致伸缩 正文  强磁体在磁化状态下,其体积和形状发生的变化。体伸缩指体积的相对变化ΔV/V,线伸缩指长度的相对变化Δl/l。强磁体自发磁化时(见铁磁性),由于磁性原子间的相互作用,点阵发生自发畸变,磁畴发生自发形变,称为自发磁致伸缩,包括自发的体磁致伸缩及线伸缩。前者主要来源于交换作用,后者与磁晶各向异性密切相关。强磁体受到外磁场磁化时,由于磁畴结构的变化和相应的磁畴自发形变的变化,出现了整个物体的线磁致伸缩(简称磁致伸缩)。由强磁体交变磁化状态引起交变磁致伸缩或其逆效应导致磁声效应
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大圆航线
词条创建者:admin 创建时间:03-11 02:00
标签: 大圆航线
摘要:  概述 地球面上两点间最短距离是通过两点间大圆的劣弧。在航海或航空中,运用此特性而走最短距离的航线叫大圆航线。   具体阐述 大圆航线距离最短,但导航较困难。因此实用中通常采用长距离靠近大圆航线,而短距离走等角航线的作法。
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磁阻效应
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标签: 磁阻效应
摘要:磁阻效应磁阻效应是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。同霍尔效应一样,磁阻效应也是由于载流子在磁场中受到洛伦兹力而产生的。在达到稳态时,某—速度的载流子所受到的电场力与洛伦兹力相等,载流子在两端聚集产生霍尔电场,比该速度慢的载流子将向电场力方向偏转,比该速度快的载流子则向洛伦兹力方向偏转。这种偏转导致载流子的漂移路径增加。或者说,沿外加电场方向运动的载流子数减少,从而使电阻增加。这种现象称为磁阻效应。若外加磁场与外加电场垂直,称为横向磁阻效应;若外加磁场与外加电场平行,称为纵向
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