吉恩·霍厄尼——半导体平面处理技术的发明者
被晶体管发明人之一的肖克莱(W．Schockley)称为“8个天才叛徒”之一的霍厄尼，由于发明了在半导体制造工艺中至关重要的平面处理技术(Planar Process Technology)，极大地降低了半导体器件的价格，也为集成电路的成功创造了前提，从而荣获1980年的计算机先驱奖。
吉恩·霍厄尼(Jean A．Hoemi)是瑞士人，1924年生于离法国边境仅2英里的日内瓦附近。他在日内瓦大学取得物理学博士学位以后，又到剑桥大学深造，再一次取得物理学博士学位，因此他是拥有2个物理学博士头衔的学者。这对他来说是很不容易的，因为他原来只会说法语和德语，到剑桥以后才开始学说英语。
20世纪50年代初，他来到美国，到拥有多名诺贝尔物理学奖获得者的加州理工大学做博士后。两年以后完成博士后研究工作。他原打算回祖国，瑞士的一个著名研究机构也表示愿意雇用他，但他想去的一个岗位上有人任职，霍厄尼要等那个人到退休以后才能上这个岗工作，于是霍厄尼打消了回国的念头而留在加州理工学院。1956年，他加盟贝尔实验室，在那里他结识了肖克莱，不久又加入肖克莱在硅谷创办的半导体实验室。对此，他后来说当时他“在一个错误理由的支配下做了一个正确的决定”。所谓“正确的决定”是指从事半导体研究，所谓“错误的理由”是指因慕肖克莱的大名而加入他的公司。
1957年，霍厄尼和诺伊斯、莫尔等人终于一起离开肖克莱，办起了仙童半导体公司。在仙童公司，霍厄尼算不上“主角”，主角是诺伊斯和莫尔，但霍厄尼却是技术创新中的顶梁柱。由于他念了2个物理学博士，在加州理工大学期间又参与了化学方面的一些研究课题，这使他具有雄厚的基础和实力，在解决半导体制造工艺方面的难题中发挥了关键的作用。这个难题就是晶体管制造时如何防止污染。因为任何细微的尘埃、杂散电荷、微量气体的侵入都会妨碍晶体管正常工作，成为晶体管制造中的大敌。正是霍厄尼找出了解决办法：在N—P—N芯片上敷置氧化硅，形成极薄的保护膜，从而解决了这个难题。
由于在制造过程中，在同一个平面上需要重复敷置这样的氧化硅层以控制不同电路元件的扩散位置，他们把这种方法称为平面处理技术(planar process technology)。这个技术不但为仙童公司在半导体领域的领先地位立下了大功，也为诺伊斯后来发明集成电路奠定了基础，因为诺伊斯正是利用平面处理技术中的氧化层，把连接晶体管的金属线印制在其上而实现电路集成的。因此，有评论认为，在半导体和集成电路的发展过程中，平面处理是最有革命性的、最重要的一项成果。
霍厄尼于1961年离开仙童公司，出任Teledyne公司的副总裁，1967年创办Intersil Inc.。但作为企业家，霍厄尼并没有像创办Intel公司的他的师兄弟诺伊斯和莫尔那样成功，那样辉煌，反倒有点像他的恩师肖克莱。除了自办公司外，他还是休斯航空公司、日本富士通公司、德国的Eurosil GmbH以及印度、新加坡等许多公司的顾问。1972年，他荣获IEEE的McDowell奖。1985年，半导体电子学制造学会（Semiconductor electronics Manufacturing Institute）授予他以学会名称的缩写SEMI为名的最高奖。
霍厄尼是一位登山运动的爱好者。据说他每年都要到喜马拉雅山进行攀登活动。
