摘要:邹世昌邹世昌材料科学家。江苏太仓人。1952年毕业于北方交通大学唐山工学院。1958年获苏联莫斯科有色金属学院副博士学位。历任中国科学院上海冶金研究所研究员、所长。曾参加直空阀门甲种分离膜的研制,并担任工艺组负责人,该成果1984年获国家发明奖一等奖。在国内较早开展了离子束材料改性与离子束分析的研究工作。在中国最早将离子注入应用于半导体集成电路,首先建立了离子背散射沟道技术,并应用于半导体材料及器件。研究了离子注入硅单晶的激光退火行为,离子注入多晶硅的激光再结晶,并研制成高CMOS器件。简历上海[阅读全文]